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특허/실용신안

기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호 10-2024-7024311
출원일자 2024-07-18
공개번호 20240829
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 개시되는 기판 처리 방법은 기판을 준비하는 공정을 포함한다. 기판은 제1 영역과 이 제1 영역 상에서 개구를 제공하는 제2 영역을 포함한다. 기판 처리 방법은 제1 가스로부터 생성된 제1 플라즈마를 이용하여 제2 영역의 꼭대기부 상에 우선적으로 꼭대기부 퇴적물을 형성하는 공정을 더 포함한다. 기판 처리 방법은 꼭대기부 퇴적물의 표면 및 개구를 규정하는 측벽면에 상기 개구의 깊이 방향을 따라 그 두께가 감소하는 제1 막을 형성하는 공정을 더 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020247024311
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/033,C23C-016/509,H01L-021/3065,H01L-021/308,H01L-021/311
주제어 (키워드)