| 초록 |
본 발명은 아이스플랜트 재배방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 질석과 코코비트로 된 인공토양에 아이스플랜트를 재배하는 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 아이스플랜트 재배방법은 코코비트와 질석이 2:1의 질량비율로 혼합된 인공토양의 육묘트래이에 아이스플랜트 종자를 뿌려주어 파종하는 단계와; 종자가 파종된 상기 육묘트래이에 물을 뿌려주면서 잎이 2 내지 4장 되면 상기 인공토양에 정식하는 단계와; 정식하여 10 ~ 15일 경과 후 물 10L를 기준으로 소금 1~5g이 함유된 소금물을 상기 아이스플랜트 종묘에 뿌려주는 단계와; 상기 아이스플랜트를 파종하여 80 ~ 90일 경과 후 수확하는 단계를 포함한다. 또한, 상기의 아이스플랜트 재배방법에 있어서, 상기 아이스플랜트를 상기 인공토양에 정식한 후 20 ~ 25℃의 온도를 유지하여 상기 아이스플랜트를 키우는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면 아이스플랜트의 생장에 적합한 인공토양에서 아이스플랜트를 재배하므로 아이스플랜트의 발아율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 아이스플랜트의 생장을 높일 수 있다. |
