| 초록 |
본 발명은 기재의 표면에 대해 일련의 플라즈마 화학기상 처리 공정을 수행하는 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 진공공간을 갖는 챔버; 상기 진공공간의 진공도를 조절하는 진공조절부; 상기 진공공간 내부에 해당 공정 가스를 공급하는 가스공급부; 상기 진공공간 내에 회전 가능하게 상호 이격 배치되며 상기 기재가 감아도는 복수의 원형전극; 상기 원형전극들의 일 측에 회전 가능하게 상호 이격 배치되며, 상기 기재에 대한 상기 공정이 상기 기재의 단면에 대한 공정 또는 양면에 대한 공정일 때 선택적으로 상기 기재가 감아 돌거나 감아 돌지 않는 복수의 가이드롤; 상기 원형전극 내부에 회전각 조절 가능하게 마련되어 상기 원형전극을 감아 도는 상기 기재 측으로 플라즈마 형성을 위한 자기장을 발생하는 자기장발생부재; 상기 각 원형전극에 전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 기재의 단면 또는 양면에 선택적으로 성막이나 식각 또는 표면처리 공정을 수행할 수 있으며, 장치의 크기 및 제작비용 증가를 최소화할 수 있는 플라즈마 화학기상 장치가 제공된다. |
