| 보유기관명 |
수원대학교 |
| 보유기관코드 |
|
| 활용범위 |
|
| 활용상태 |
|
| 표준코드 |
|
| 표준분류명 |
|
| 시설장비 설명 |
Si wafer size : 150 mm (6") Process wafer capacity : 25 ea(max. 75ea) Minimum thickness : 30 Å Control type : IC-V Loading type : Auto System configuration - Atmoscan : 700～1100℃ - Catilever : 700～1100℃/ 400～600℃
저·고온의 열처리 공정 및 가스를 주입하여 산화막 형성 공정이 가능한 장비이다. HCl 을 이용한 클린 산화막 건식/습식 산화막 제조가 가능하며 저온 공정 시 수소처리를 겸할 수 있다. |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/itep200710/.thumb/1153929716_1.jpg |
| 장비위치주소 |
경기 화성시 봉담읍 와우리 수원대학교 산2-2번지 수원대학교 고운첨단과학기술연구원 6층 603호 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2007-10-004660 |
| 예약방법 |
|
| 카타로그 URL |
|
| 메뉴얼 URL |
|
| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0000914 |
| 첨부파일 |
|
