| 보유기관명 |
한국과학기술연구원 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
A410 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
산화아연(ZnO)의 나노선등을 성장하기 위한 Pulsed Laser Deposition(PLD) system에서 원료를 융제하기 위한 에너지원으로 사용
자외선 영역의 빛을 고출력으로 발진하는 레이저를 말한다. 진공용기 중에서 불소와 아르곤 또는 불소와 크립톤 등 두가지 원소를 혼합해 기체를 봉입·발진시키는 가스레이저의 일종이다. 이러한 원소는 보통상태에서는 결합해서 화합물을 만들지 않으나 방전이나 전자빔 등으로 자극하면 극히 불안정한 화합물을 만든다. 이를 익사이티드 다이머라 하는데 극히 불안정한 물질상태이기 때문에 곧 붕괴되면서 자외선을 방출한다. 이 발광현상을 이용하여 레이저를 발진시키는 것이 엑시머 레이저로 파장이 고른 아름다운 자외광을 강력히 방출할 수 있는 것이 특징이다.Pulse Energy : 400mj Wavelength : 248nm Repetation Rate : 20HzZnO 나노선 제작 Excimer lasers are widely used in high-resolution photolithography machines one of the critical technologies required for microelectronic chip manufacturing. Current state-of-the-art lithography tools use deep ultraviolet (DUV) light from the KrF and ArF excimer lasers with wavelengths of 248 and 193 nanometers (the dominant lithography technology today is thus also called “excimer laser lithography) which has enabled transistor feature sizes to shrink below 45 nanometers. Excimer laser lithography has thus played a critical role in the continued advance of the so-called Moore’s law for the last 20 years. |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201110/.thumb/20111025152057.jpg |
| 장비위치주소 |
서울 성북구 하월곡동 39-1 한국과학기술연구원 L1 3층 1321 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2007-08-003894 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0000759 |
| 첨부파일 |
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