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장비 및 시설 기본정보
텅스텐 화학 기상 증착 장치
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 테스(TES) |
| 모델명 | P-5000 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2006-01-01 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 나노종합기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C507 |
| 표준분류명 | 시험 |
| 시설장비 설명 | 반도체가 고집적화 되어감에 따라 금속 배선의 선폭 및 간격이 100 나노미터 이하로 작아지고 8층 이상의 다층으로 배선을 요구하게 됨에 따라 높은 에스펙트레이시요 (Aspect ratio)(종횡비)를 가지는 컨텍이나 비아를 채우기에는 기존의 PVD 증착법으로는 한계에 부딪치게 되어 PVD 공정 대비 스탭커버리지의 향상을 위해 CVD W 공정이 도입됨. CVD 공정의 반응단계를 살펴보면 WF6 Source Gas로 부터 SiH4와 H2 Gas를 반응 Gas로 사용하여 W을 분해하는 Nucleation Step과 WF6 Source Gas로 부터 H2 Gas를 반응 Gas로 사용하여 W을 분해하는 Bulk Step으로 구성되어 있음 |
| 장비이미지코드 | https://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201712/20161025102502_20110126000000100913 NFEC-2011-01-137550.jpg |
| 장비위치주소 | 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-137550 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | https://www.zeus.go.kr/cloud/resvEq/read/Z-201901255334?cloudId=200711140047 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |