급속 열처리 시스템
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 에이피시스템 |
모델명 | RTP 600 |
장비사양 | |
취득일자 | 2005-03-01 |
취득금액 |
보유기관명 | 전북대학교 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C601 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 대기 및 진공중에서 할로겐램프를 이용하여 웨이퍼를 급속가열 반도체 소자의 어닐링 공정 및 열처리 공정에 의한 실리콘 기판의 산화와 질화막 형성Temperature Uniformity: <+-2C @ 400~1000C -Temperature Repeatability: 150C/sec @400~1000C -Ramp-down Rate: >70C/sec @800~1200C -Gas Flow: N2 O2 Ar H2 -Chamber Heating: 150~1100C -Vacuum Capacity: 10-7Torr (실제:10-3Torr) -Interlock to prevent hazardous mixing of gases |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/itep200710/.thumb/C65D6B886F670787492570F40023E62D.jpg |
장비위치주소 | 전북 전주시 덕진동1가 반도체공정연구센터 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2007-10-008052 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0001665 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |