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장비 및 시설 기본정보
LPCVD/Furnace system modification
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 성진세미텍 |
| 모델명 | SJF-1000-T2 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2001-01-09 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국과학기술연구원 마이크로나노팹센터 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C507 |
| 표준분류명 | 시험·검사장비 |
| 시설장비 설명 | 저압기상증착 방식을 이용하여 산화막과 폴리실콘박막을 증착하는 장치임. 4" 12장 Wafer 동시증착가능함. Oxidatim공정(15㎛이하)임. 고온에서 산화막을 형성하고, 또한 저압기상증착 방식을 이용하여 질화막과 폴리실콘박막을 증착하는 장치임. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images/equip/photo/.thumb/Jqusg3AIEx32Q20QG7CD_w600.jpg |
| 장비위치주소 | 한국과학기술연구원 청정연구동1층 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2001-07-022939 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-KIST_Fab-00028 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |