| 보유기관명 |
나노종합기술원 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C510 |
| 표준분류명 |
시험 |
| 시설장비 설명 |
Inductive Plasma Source(ICP)를 이용한 Si 식각 장치로서 기존 Si 장치가 1um 미만의 Depth를 식각 할 수 있는데 반하여 본 장치는 Bosch Process라는 특화된 기술을 이용하여 Si Depth 1um ~ 1mm까지를 Dry 방식으로 식각 할 수 있는 장치로서 기본 6"와 8" Wafer의 진행이 가능함. |
| 장비이미지코드 |
https://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201101/20110126152009.gif |
| 장비위치주소 |
카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2011-01-137114 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
https://www.zeus.go.kr/cloud/resvEq/read/Z-201901255286?cloudId=200711140047 |
| 첨부파일 |
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