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장비 및 시설 기본정보
급속 열처리 시스템
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Metron |
| 모델명 | HP8800 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2007-12-03 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 나노종합기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C601 |
| 표준분류명 | 시험 |
| 시설장비 설명 | - 할로겐 램프를 이용하여 급속 열처리 - 파이로미터를 이용하는 간접 온도 리딩 방식" 2. 구성 - Main Body Dimension(W*H*D) : 1020mm * 2080mm * 1070mm - Process : N2 O2 Ar - Main Power : 3 Phase AC220V 60Hz 3. 사용예 - Wafer anneal Silicide FormationCMOS Tr 제작 - 상온증착 산화물의 결정화 - 산화막 형성 - 박막의 고온 조직 분석 - 이온 주입 시 dopant 재 분포 방지 및 활성화 - 금속 전극의 ohmic contact-Silicide 형성 |
| 장비이미지코드 | https://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201101/20110126154803.gif |
| 장비위치주소 | 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-137232 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | https://www.zeus.go.kr/cloud/resvEq/read/Z-201902085570?cloudId=200711140047 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |