| 시설장비 설명 |
전자빔을 이용하여 고배율의 화상을 얻을 수 있는 전자현미경설비에 부착시켜 여기서 발생되는 특성에너지와 파장을 받아 관찰하고자 하는 시료의 성분을 분석하여 스펙트럼 또는 그래프로 출력할 수 있는 성분분석장치임. 재료의 표면에 전자현미경의 target에서 발생된 전자(incident beam)가 충돌하게 되면 재료는 내부 전자가 입사전자에 의해 외부로 튀어 나가게 되고(이를 이차전자,Secondary electron(SE)이라고 함. 이 SE를 이용하여 시료의 고배율 이미지 관찰이가능함.) 빈 자리가 생성됨. 이 때 원자는 열역학적으로 에너지를 낮추기 위해 상위 궤도에 있는 전자가 빈 자리로 천이되어 원자를 안정화 시킴. 또한 시료 표면에서 그 재료의 특성을 갖는 여러 종류의 전자, 이온 및 특성X선 등이 방출됨. 이때 이 중에서 EDS 장치는 방출된 특성 X-선만을 따로 detecting하여 빔의 에너지대별로 화면에 표시하게 됨. 이 특성 X-선은 에너지 및 파장에 있어 연속 스펙트럼의 특징을 가지고 있으며, 에너지 스펙트럼을 분석하는 검출기를 EDS라 하고 파장 스펙트럼을 분석하는 검출기를 WDS라고 함. |
