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반도체 웨이퍼 급속 가열기

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보유기관명	서울대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드
표준분류명
시설장비 설명	장비의 본체와 펌프(Dry pump Turbo pump) Gas cabinet으로 구성되어있으며, 성능 : 4 6 겸용 1250℃까지 올릴 수 있다. 초당 200℃까지 올릴 수 있음.Si Wafer를 급속한 열처리로 RTA(Rapid Thermal Annealing),RTO (Rapid Thermal Oxidation), RTN(Rapid Thermal Nitridation) 공정을 할 수 있으며, Vacuum process가능.사전 CMOS전용 이외의 장비에서 진행되어진 Wafer는 투입할 수 없음 Metal 공정이 진행되어진 Wafer는 투입할 수 없음 공정진행 전 반드시 Cleaning을 진행하여야 함 공정 Max time : 3min 공정 전 온도에 대한 Recipe가 있는지 확인 후 진행할 것 (담당자에 확인요망)
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/itep200710/.thumb/95D73476C7D9FB3649256EA90000E51E.jpg
장비위치주소	서울 관악구 대학동 서울대학교 산 56-1 서울대학교 104동 (반도체공동연구소) 1층 C1-4
NFEC 등록번호	NFEC-2007-10-009212
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0001864
첨부파일

기업조회