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논문 기본정보

반도체 장치의 결함해석

논문 개요

기관명, 저널명, ISSN, ISBN 으로 구성된 논문 개요 표입니다.
기관명 NDSL
저널명 에너지공학 = Journal of energy engineering
ISSN 1598-7981,
ISBN

논문저자 및 소속기관 정보

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저자(한글) 박석준,최성배,오창섭
저자(영문)
소속기관
소속기관(영문)
출판인
간행물 번호
발행연도 2016-01-01
초록 새로운 재료가 개발되어 점점 반도체 디바이스의 적용으로 인해 반도체 장치 구조의 미세화를 촉진하고 있고 반도체 디바이스의 제조공정에서는 초기불량이나 일정시간 가동 후의 고장이 끊이지 않고 발생하고 있어 그 결함에 대한 해석은 날이 갈수록 중요해지고 있다. 여기서는 반도체 디바이스의 전기적 고장 검출과 디바이스 결함부의 물리해석에 대해 서술한다. 물리해석에는 주사전자현미경이나 투과전자현미경, 집속이온빔가공장치와 같은 전자나 이온을 이용한 장치가 사용되는데 여기서는 그 사용기술과 특성에 대해 서술하고자 한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201614137728261
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류,DDC 분류,주제어 (키워드) 순으로 구성된 추가정보표입니다
과학기술표준분류
ICT 기술분류
DDC 분류
주제어 (키워드) 반도체 디바이스,반도체 결함해석,주사전자현미경,투과전자현미경,집속이온빔,semiconductor device,fault analysis of semiconductor,SEM,TEM,FIB