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논문 기본정보
Borate 완충용액에서 알루미늄의 산화피막의 생성과정과 전기적 성질에 대한 대기의 영향
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 대한화학회지 = Journal of the Korean Chemical Society |
| ISSN | 1017-2548, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2016-01-01 |
| 초록 | Borate 완충용액에서 Al의 부식과 부동화에 관하여 변전위법, 대 시간 전류법 그리고 다중 주파수 전기화학적 임피던스 측정법으로 조사하였다. 공기 또는 산소의 영향은 환원과정에 영향을 주었지만 산화반응에는 영향을 미치지 못 하는 것으로 보인다. 부동화 영역에서 생성되는 피막의 전기적 성질은 Mott-Schottky 식이 적용되는 n-type 반도체 성질을 보였다. 낮은 전극전위에서 생성되는 Al의 산화피막은 Al(OH) 3 로 충분한 부동화 효과를 보이지 못하나, 전극전위가 증가하면서 Al 2 O 3 로 변하였다. Al 2 O 3 피막은 #x201C;전기장에 의한-이온의 이동 #x201D; 과정에 의하여 성장하는 것으로 보인다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201619535696619 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | 알루미늄,산화피막,대수함수 성장속도식,Mott-Schottky식,n-형 반도체,Aluminum,Oxidation-film,Logarithmic rate law,Mott-Schottky,n-type semiconductor |