- HOME
- 홈페이지 이용안내
논문 기본정보
반복된 삭제/쓰기 동작에서 스트레스로 인한 Disturbance를 최소화하는 플래쉬 메모리 블록 삭제 방법
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 정보처리학회논문지. KIPS transactions on computer and communication systems 컴퓨터 및 통신 시스템 |
| ISSN | 2287-5891, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 서주완,최민 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2016-01-01 |
| 초록 | 본 논문은 NAND Flash Memory 수명을 향상시키기 위한 동작 algorithm 개선을 제안한다. Flash memory에 대한 read/write/erase 과정에서, 해당 cell의 Vth가 원하는 level대로 위치를 한다면 문제가 없으나, 원하는 위치대비 변동이 되어 있다면 잘못된 data를 읽어내게 된다. 이러한 cell간 interference나 disturbance 현상들은 program이나 erase 동작이 반복(EW cycle)될수록 더 심해지는 특징이 있다. 이는 반복되는 high bias 인가상태에서 벌어지는 FN tunneling 현상으로 인한 tunnel oxide 막질손상(trap site 증가)에 기인한다고 알려져 있다. 본 논문에서는 erase cell 관점에서 stress양 자체를 감소시킴으로써 cell 열화 속도를 느리게 하여, 궁극적으로 발생하는 Vth 변동사항인 disturbance를 줄일 수 있는 erase 동작방법에 대해 논한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201606050646375 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | 방해 최소화,삭제 검증,낸드 플래쉬 메모리,스트레스 감소,Disturbance Minimization,Erase Verify,NAND Flash Memory,Stress Reduction |