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논문 기본정보
이온화 N2 가스 입사를 이용한 SiNx 나노구조 내부의 Si 나노결정 형성
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society |
| ISSN | 1225-8822, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | Jung, Min-Cherl,Park, Young-Ju,Shin, Hyun-Joon,Byun, Jun-Seok,Yoon, Jae-Jin,Park, Yong-Sup |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2007-01-01 |
| 초록 | 실리콘 표면에 이온화된 $N_2$ 가스를 입사한 후 어닐링을 통해서 $SiN_x$ 나노구조를 형성하였다. 원자힘 현미경으로 관찰한 결과 이 나노구조의 밀도는 $3 times10^{10}/cm^2$ 였으며, 가로 크기는 40 $ sim$ 60 nm 이고 높이는 약 15 nm 임을 알 수 있었다. 엑스선광전자 분광기술을 이용하여 이 나노구조의 화학상태를 측정하였는데, 입사하는 이온화된 $N_2$ 의 단위시간당 양이 증가함에 따라서 화학상태가 $SiN_x$ 에서 $Si_3N_4 ;+ ;SiN_x$ 형태로 변화함을 알 수 있었다. 열처리를 한 시료를 투과전자 현미경으로 측정된 결과는 $SiN_x$ 나노구조를 내부에 Si 나노 결정이 형성된 것을 보여주었다. 광여기 발광특성에서 관찰된 400 nm파장의 스펙트럼은 Si 나노결정의 크기를 고려할 때 나노결정과 $SiN_x$ 나노구조 사이의 계면상태에서 기인한 것으로 생각된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO200706414136150 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | Si 나노구조,이온빔 입사 |