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논문 기본정보
게르마늄 응축 공정의 모델링과 나노와이어 PMOSFET 응용
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers = 전자공학회논문지 |
| ISSN | 2287-5026,2288-159x |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 윤민아,조성재 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2016-01-01 |
| 초록 | 본 논문에서는 게르마늄 응축 공정을 모델링하고 공정을 적용한 나노와이어 구조의 게르마늄 PMOSFET의 특성을 소자 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 기존의 연구 결과들을 토대로 하여 모델링을 수행한 결과, 게르마늄 응축 공정 과정에서 얻게 되는 벌크 영역에서의 게르마늄 농도( $C_B$ )에 대한 실리콘 게르마늄-실리콘 산화막 계면에서의 게르마늄 농도의 비율( $C_S$ )은 약 4.03, 해당 공정 온도에서 게르마늄 원자의 유효 확산 계수( $D_{eff}$ )은 약 $3.16nm^2/s$ 으로 추출되었다. 나아가, 게르마늄 응축 공정을 통하여 구현할 수 있는 실리콘 코어 상에 얇은 게르마늄 채널을 갖는 나노와이어 채널 구조의 PMOSFET을 설계하고 성능을 분석하였다. 이를 통하여, 전영역을 실리콘으로 혹은 게르마늄으로 하는 채널을 갖는 소자에 비하여 실리콘 코어-게르마늄 채널의 동축 이종접합 채널을 갖는 소자가 우수한 특성을 가질 수 있음을 확인하였다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201611059007006 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | process modeling,germanium condensation,PMOSFET,nanowire channel,coaxial channel |