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특허/실용신안

대기상태에 따른 광자검출기 및 광자검출기의 광전자 전도 팁 제작 방법

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 대한민국
출원번호 10-2015-0017329
출원일자 2015-02-04
공개번호 20150717
공개일자 2015-07-10
등록번호 10-1535533-0000
등록일자 2015-07-03
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 태양광을 포함하는 광을 검출하여 분석할 수 있도록 하는 것에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대기를 통과하는 태양광을 이용하여 대기의 상태 및 특성에 따라 광자의 차이를 전기신호로 표현하는 기술이다. 이 과정 중 센서의 광전자 전도 팁에 빛이 수직으로 전달되게 하여 광자와 광전자 전도 팁 물질의 반응을 최대로 하고 관측 시 산란광등의 영향을 최소화 하여, 입사되는 광량 변화에 민감하게 반응하고, 짧은 시간에 관측 장비를 조절할 수 있도록 하여 관측 정확도를 현저히 향상시킬 수 있도록 하였다. 이 기술은 대기상태에 따른 광자검출기 및 광자검출기의 광전자 전도 팁 제작 방법에 관한 것으로, 상기 대기상태에 따른 광자검출기는, 일 측 단부에 광유입구가 형성되고, 상기 광유입구에는 수직 방향에서 일정 각도 범위의 빛만을 투과시키는 투명창이 구비되어, 산란 광 등의 노이즈 광의 유입을 차단하도록 밀폐되는 케이스부; 상기 케이스부의 광유입구를 통해 유입된 광에 의해 광전자를 생성하여 신호선부로 이동시키는 광전자 전도 팁을 구비한 광전변환부; 및 상기 광전변환부에 결합되어, 상기 광전변환부에서 생성된 광전자를 분석을 위해 외부로 출력하는 신호선부;를 포함하여 구성되어, 광자검출기의 측정 정확도를 향상시키고, 대기 중 광을 분석하는 전체 장치의 구조 및 크기를 간소화시키는 효과를 제공한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020150017329
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