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하이브리드 상 전계 효과 트랜지스터

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2015-0160723
출원일자	2015-11-16
공개번호	20151203
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	절연층이 트랜지스터 구조위에 퇴적된다.트랜지스터 구조는 기판 상의 디바이스층 위의 게이트 전극을 포함한다.트랜지스터 구조는 게이트 전극의 대향하는 측들에서의 디바이스층 상의 제1 접촉 영역 및 제2 접촉 영역을 포함한다.트렌치는 제1 접촉 영역 위에 제1 절연층 내에 형성된다.S-형상 IV 특성을 갖는 금속-절연체 상 전이 물질층이 소스측 상의 금속화층의 비아에 또는 트렌치에 퇴적된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150160723
첨부파일

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