희토류 자석의 제조 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 도요타 지도샤(주) |
출원번호 | 10-2016-7016700 |
출원일자 | 2016-06-22 |
공개번호 | 20160728 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 방법은: (Rl) x (Rh) y T z B s M t 의 조성을 가진 소결체를 제조하는 단계; 상기 소결체에 열간 변형 가공을 실시함으로써 전구체를 제조하는 단계; 및 450℃ ~ 700℃ 의 온도 범위에서 상기 전구체에 시효 처리를 실시함으로써 희토류 자석을 제조하는 단계를 포함한다. 상기 방법에서, 상기 주상은 (RlRh) 2 T 14 B 상으로 형성된다. 입자 계면상에서 (RlRh) 1.1 T 4 B 4 의 함량은 0 질량% 초과 50 질량% 이하이다. Rl 은 경희토류 원소를 나타낸다. Rh 는 중희토류 원소를 나타낸다. T 는 천이 금속을 나타낸다. M 은 Ga, Al, Cu 및 Co 중 적어도 1 종을 나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 R1, Rh, T, B 및 M 의 질량% 를 나타낸다. x, y, z, s 및 t 는 다음의 식: 27≤x≤44, 0≤y≤10, z=100-x-y-s-t, 0.75≤s≤3.4, 0≤t≤3 으로 나타낸다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016700 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01F-001/057,H01F-041/02 |
주제어 (키워드) |