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반도체 장치의 제작 방법

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0036170
출원일자	2016-03-25
공개번호	20160414
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	소스 전극층 및 드레인 전극층 표면에 산화물이나 오염물의 피막(皮膜)이 생긴 채로, 그 위에 산화물 반도체층을 형성하면, 소스 전극층 또는 드레인 전극층과 산화물 반도체막의 접촉면에 전기적으로 고저항의 계면이 형성되어, 반도체 소자의 온 전류가 억제된다. 소스 전극층 및 드레인 전극층의 표면을 플라즈마에 의하여 스퍼터링 처리하여, 상기 소스 전극층 및 드레인 전극층을 대기에 노출시키지 않고, 상기 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 연속적으로 In, Ga, 및 Zn를 포함하는 산화물 반도체층이 형성된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160036170
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