경질 마스크를 선별적으로 제거하기 위한 제거 조성물
기관명 | NDSL |
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출원인 | , |
출원번호 | 10-2016-7012242 |
출원일자 | 2016-05-10 |
공개번호 | 20160616 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 발명은 반도체 기재로부터 TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, Ti, Ti 합금 및 W 합금으로 본질적으로 이루어지는 경질 마스크를 저-k 유전체 재료에 대해 선별적으로 제거하기 위한 제거 조성물에 관한 것이다.반도체 기재는 저-k 유전체 재료를 포함하며, 그 위에 TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, Ti, Ti 합금 또는 W 합금의 경질 마스크를 갖는다.제거 조성물은 0.1 중량% 내지 90 중량%의 산화제; 0.0001 중량% 내지 50 중량%의 카르복실레이트; 및 탈이온수를 포함하는, 제거 조성물의 최대 100 중량%의 잔부를 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167012242 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | C11D-003/39,C11D-011/00,C11D-003/395,C23F-001/26,C23F-001/38,C23F-011/14 |
주제어 (키워드) |