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특허/실용신안
듀얼 플라즈마 소스 반응 장치를 이용한 웨이퍼 프로세싱을 위한 이온 대 중성 종 제어
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 램 리써치 코포레이션 |
| 출원번호 | 10-2014-0124911 |
| 출원일자 | 2014-09-19 |
| 공개번호 | 20150402 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 개시된 기법들은 기판을 에칭하는 방법들 및 장치에 관한 것이다.플레이트 어셈블리는 반응 챔버를 상부 서브 챔버 및 하부 서브 챔버로 분할한다.플레이트 어셈블리는 플레이트를 관통하는 아퍼처들을 갖는 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함한다.상부 플레이트 및 하부 플레이트의 아퍼처들이 정렬될 때, 이온들 및 종성 종이 플레이트 어셈블리를 통해 하부 서브 챔버로 이동할 수도 있다.아퍼처들이 정렬되지 않을 때, 이온들이 플레이트 어셈블리를 통과하는 것이 방지되는 반면 중성 종들은 훨씬 적게 영향을 받는다.따라서, 이온 플럭스:중성 종들 플럭스의 비는 아퍼처들이 정렬되는 면적의 양을 제어함으로써 조정될 수도 있다.특정한 실시예들에서, 플레이트 어셈블리 중 하나의 플레이트는 일련의 동심인, 독립적으로 운동가능한 주입 제어 링들로서 구현된다.또한, 일부 실시예들에서, 상부 서브 챔버는 절연성 재료인 벽체들에 의해 분리된 일련의 동심인 플라즈마 존들로서 구현된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140124911 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/3065,H01L-021/02 |
| 주제어 (키워드) |