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금속 산화물막 및 그 제조 방법, 박막 트랜지스터, 표시 장치, 이미지 센서 그리고 X 선 센서

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기관명	NDSL
출원인	후지필름 가부시키가이샤
출원번호	10-2015-7025431
출원일자	2015-09-16
공개번호	20151029
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	X 선 광 전자 분광 분석에 의해 얻어지는 XPS 스펙트럼에 있어서, 결합 에너지가 402 eV 이상 405 eV 이하의 범위에 피크 위치를 가지는 성분이 함유되고, 또한 질소의 1s 전자에 귀속하는 피크 에너지의 강도를 피크 분리에 의해 구했을 때, 식 (1) : A/(A + B) ≥ 0.39 의 관계를 만족시키는, 금속 산화물막 및 그 제조 방법, 그리고, 산화물 반도체막, 박막 트랜지스터, 표시 장치, 이미지 센서 및 X 선 센서를 제공한다. 식 (1) 중, A 는, 결합 에너지가 402 eV 이상 405 eV 이하의 범위에 피크 위치를 가지는 성분의 피크 면적을 나타내고, B 는, 결합 에너지가 406 eV 이상 408 eV 이하의 범위에 피크 위치를 가지는 성분의 피크 면적을 나타낸다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157025431
첨부파일

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