| 기업공감원스톱서비스

InGaAlN계 반도체 소자

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
출원번호	10-2016-7008344
출원일자	2016-03-29
공개번호	20160510
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	질화물 반도체층을 채널로 하는 트랜지스터를 시험 제작했다.질화물 반도체층은 모두, 스퍼터링법에 의해 형성했다.퇴적 온도를 600℃ 미만으로 하고, 다결정 혹은 비정질의 In x Ga y Al z N층으로 했다.일반식 In x Ga y Al z N(단, x+y+z=1.0)으로 표기한 경우의 조성이, 0.3≤x≤1.0, 또한, 0≤z 2 이상을 나타낸 트랜지스터(1a)가 얻어지고 있다.즉, 다결정 혹은 비정질의 막이어도, 단결정과 동등한 전기적 특성을 나타낸다.그로 인해, 제조 조건의 제약이 대폭으로 해소되고, 저렴하고 우수한 전기 특성을 갖는 InGaAlN계 질화물 반도체층을 채널로서 구비한 반도체 소자가 제공된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167008344
첨부파일

기업조회