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특허/실용신안

산화그래핀 제조

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 더 유니버시티 오브 맨체스터
출원번호 10-2016-7015400
출원일자 2016-06-09
공개번호 20160707
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 흑연 양극을 박리시키기 위해 (a) 흑연인 양극; (b) 흑연 또는 또 다른 물질일 수 있는 음극; (c) (i) 용매 중 유기 음이온; (ii) 용액 중 비-산화제 다원자성 음이온; 및/또는 (iii) 용매 중 다원자성 음이온을 포함하는 전해질로서, 전해질의 수소 이온 농도가 -1 mol dm -3 인 것인 전해질을 포함하는 전기화학 전지를 통해 전류를 통과시켜 음이온을 흑연 양극 내로 층간 삽입시키는 단계를 포함하는, 상기 전기화학 전지에서 두께가 100 nm 미만인 산화그래핀 및/또는 산화흑연 나노판 구조물을 제조하는 방법.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015400
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C01B-031/04,C25B-001/00
주제어 (키워드)