| 초록 |
본 발명은 반도체 소자 제조용 연 X선을 발생시켜 반도체 박막 등을 부분적으로 에칭시키는 장치에 관한 것이다. 종래의 장치는 핵융합 실험,플라스마 연구,발전 공학이나 우주 공학의 스위치용으로 응용되었을 뿐 초미세 형상 기술에는 응용되지 못하였다.따라서 상업적 이용을 어렵게 한 요인을 제거하여 쉽게 이용할 수 있도록 하는 장치가 필요하다. 연 X선 발생 장치는 조절 나사(13)와 죔 나사(14)가 체결되는 중앙 전극(1)과,조절나사(13)의 상측에 결합되는 원통형 절연체(3)와,방전실(19) 바닥을 이루는 금속 원판(22)과,둘레에 복수 구멍(21)이 형성된 원통형 외측 전극(2)과,내부 관측이 가능토록 투명한 관측 원통(56)과 그 상부 한쪽에 구비된 방출구(6b)에 Be 방출창(6a)의 오염을 제거하기 위한 노광용 방출부(6)와, 금속 용기(56a)의 둘레와 상부에서 방전실(19) 내부의 관찰이 가능토록 형성된 관측부(53,54,55)와,금속 원판(22)을 통해 방전실(19) 내로 전리 기체를 공급하는 기체 공급부(8,81)를 금속 원판(22)과 절연체(3) 사이의 외측에 구성하고 있다. 연구용은 물론 상업적 이용이 매우 용이하다. |
