반도체 장치
기관명 | NDSL |
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출원인 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
출원번호 | 10-2016-0087422 |
출원일자 | 2016-07-11 |
공개번호 | 20160721 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 산화물 반도체의 조성 또는 결함제어를 하는 것을 목적의 한가지로 하고, 또한, 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 높이고, 오프 전류를 억제하면서 충분한 온오프 비를 얻는 것을 다른 목적의 한가지로 한다. InMO 3 (ZnO) n (m은 Ga, Fe, Ni, Mn, Co 및 Al으로 이루어진 그룹에서 선택된 1개 또는 복수의 원소, n은 1 이상 50 미만의 비정수)이며 수소를 더 포함한다. 이 경우에 있어서, Zn의 농도가 In 및 M(M=Fe, Ga, Ni 및 Al에서 선택된 1개 또는 복수의 원소)보다도 낮게 한다. 또한, 이 산화물 반도체는 아모퍼스 구조를 갖고 있다. 여기에서 n의 값은, 바람직하게는 1 이상 50 미만의 비정수, 더욱 바람직하게는 10 미만의 비정수로 한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160087422 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/26,H01L-027/12,H01L-029/45,H01L-029/786 |
주제어 (키워드) |