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분리된 이온 및 라디칼 제어를 위한 소스를 이용한 반도체 프로세싱 시스템

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기관명	NDSL
출원인	램 리써치 코포레이션
출원번호	10-2014-7019926
출원일자	2014-07-16
공개번호	20140905
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	프로세싱 영역이 상단 판 어셈블리와 기판 지지부 사이에 존재하도록, 상단 판 어셈블리는 기판 지지부 위에 이격되어 배치된다.상단 판 어셈블리는 중앙 프라즈마 발생 마이크로챔버에 대하여 동심으로 위치한 중앙 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버를 포함한다.중앙 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 중 인접하게 위치된 마이크로챔버들은 중앙 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 사이에 다수의 축 배기 구멍을 형성하도록 서로 이격되어 위치한다.중앙 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 마이크로챔버 내에 대응하는 플라즈마를 발생하고 상부 판 어셈블리와 기판 지지부 사이의 프로세스 영역에 마이크로챔버의 플라즈마의 반응 성분을 공급하도록 구성된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147019926
첨부파일

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