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정전기 방전 보호부를 구비한 복사 방출 반도체칩 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
출원번호	10-2016-7015687
출원일자	2016-06-13
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	복사 방출 반도체칩(1)이 기술되며, 상기 반도체칩은 캐리어(5), 및 반도체층 시퀀스를 구비한 반도체 몸체(2)를 포함한다. 반도체층 시퀀스는 복사의 생성을 위해 제공된 활성 영역(20), 제1반도체층(21) 및 제2반도체층(22)을 포함한다. 활성 영역은 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 배치된다. 제1반도체층은 캐리어를 등지는 활성 영역의 면에 배치된다. 반도체 몸체는 적어도 하나의 리세스(25)를 포함하고, 상기 리세스는 활성 영역을 관통하여 연장된다. 제1반도체층은 제1연결층(31)과 전기 전도적으로 연결되고, 이 때 제1연결층은 리세스에서 제1반도체층으로부터 캐리어의 방향으로 연장된다. 제1연결층은 보호 다이오드(4)에 의해 제2반도체층과 전기적으로 연결된다. 또한, 복사 방출 반도체칩의 제조 방법도 기술된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015687
첨부파일

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