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특허/실용신안

웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 서울반도체 주식회사
출원번호 10-2016-0080412
출원일자 2016-06-27
공개번호 20160714
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드 패키지는, 제1 도전형 상부 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 하부 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 제2 도전형 하부 반도체층 및 활성층을 관통하여 제1 도전형 상부 반도체층을 노출시키는 복수개의 콘택홀들; 반도체 적층 구조체 아래에 위치하고, 복수개의 콘택홀들에 노출된 제1 도전형 상부 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 범프; 반도체 적층 구조체 아래에 위치하고, 제2 도전형 하부 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 범프; 및 반도체 적층 구조체의 측벽을 덮는 보호 절연층을 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160080412
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-027/15,H01L-033/10,H01L-033/22,H01L-033/24,H01L-033/38,H01L-033/46,H01L-033/48,H01L-033/50
주제어 (키워드)