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반도체 장치

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-7017108
출원일자	2016-06-27
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	보호 회로는 게이트 전극, 게이트 전극을 피복하는 게이트 절연층, 게이트 절연층 위에서 게이트 전극과 중첩하는 제 1 산화물 반도체층, 제 1 산화물 반도체층의 채널 형성 영역과 중첩하는 채널 보호층, 및 단부들이 채널 보호층 위에서 게이트 전극과 중첩하고 도전층 및 제 2 산화물 반도체층이 적층되는 한 쌍의 제 1 배선층 및 제 2 배선층을 포함하는 비-선형 소자를 포함한다. 게이트 절연층 위에는, 상이한 특성들을 갖는 산화물 반도체층들이 서로 결합됨으로써, 쇼트키 접합에 비해서 안정한 동작이 수행될 수 있다. 그러므로, 접합 누설이 감소될 수 있고 비-선형 소자의 특성들이 개선될 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017108
첨부파일

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