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반도체 장치, 반도체 장치를 제작하는 방법, 및 표시 장치

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-7017117
출원일자	2016-06-27
공개번호	20160808
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	Cu를 함유하는 금속막이 산화물 반도체막을 포함하는 트랜지스터를 위해 사용되는 새로운 반도체 장치 및 이러한 반도체 장치를 제작하는 방법이 제공된다. 이러한 반도체 장치는 트랜지스터를 포함하고, 이러한 트랜지스터는 제 1 게이트 전극층, 제 1 게이트 전극층 위의 제 1 게이트 절연막, 제 1 게이트 전극층과 중첩하도록 제 1 게이트 절연막 위에 제공되는 산화물 반도체막, 산화물 반도체막에 전기적으로 접속된 한 쌍의 전극층들, 산화물 반도체막 및 한 쌍의 전극층들 위의 제 2 게이트 절연막, 및 산화물 반도체막과 중첩하도록 제 2 게이트 절연막 위에 놓인 제 2 게이트 전극층을 포함한다. 한 쌍의 전극층들은 Cu-X 합금막(X는 Mn, Ni, Cr, Fe, Co, Mo, Ta, 또는 Ti이다)을 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017117
첨부파일

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