원격 플라즈마 CVD 기술을 이용한 저온 실리콘 질화물 필름들
기관명 | NDSL |
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출원인 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
출원번호 | 10-2016-7014041 |
출원일자 | 2016-05-26 |
공개번호 | 20160707 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 기판 상에 실리콘 질화물 층을 형성하기 위한 방법들을 제공한다.일 실시예에서, 섭씨 300도 미만의 온도에서 원격 플라즈마 화학 기상 증착(CVD)을 사용하여 실리콘 질화물 층을 형성하는 방법이 개시된다.원격 플라즈마 CVD 프로세스를 위한 전구체들은, 트리스(디메틸아미노)실란(tris(dimethylamino)silane)(TRIS), 디클로로실란(dichlorosilane)(DCS), 트리실릴아민(trisilylamine)(TSA), 비스-t-부틸아미노실란(bis-t-butylaminosilane)(BTBAS), 헥사클로로디실란(hexachlorodisilane)(HCDS) 또는 헥사메틸시클로트리실라잔(hexamethylcyclotrisilazane)(HMCTZ)을 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014041 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/02,C23C-016/34,C23C-016/44,C23C-016/452,C23C-016/455 |
주제어 (키워드) |