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III-N 반도체-온-실리콘 구조 및 기술

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2015-7009933
출원일자	2015-04-17
공개번호	20150528
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	III-N 반도체-온-실리콘 집적 회로 구조들 및 기술들이 개시된다.일부 예들에서, 구조는 핵형성 층 상에 형성된 제1 반도체 층을 포함하고, 제1 반도체 층은 핵형성 층 상에 위치하고 복수의 3D 반도체 구조를 갖는 3D GaN 층, 및 3D GaN 층 상의 2D GaN 층을 포함한다.구조는 제1 반도체 층 상에 또는 내에 형성된 제2 반도체 층도 포함할 수 있으며, 제2 반도체 층은 2D GaN 층 상의 AlGaN 및 AlGaN 층 상의 GaN 층을 포함한다.다른 구조는 핵형성 층 상에 형성된 제1 반도체 층을 포함하고, 제1 반도체 층은 핵형성 층 상의 2D GaN 층, 및 제1 반도체 층 상에 또는 내에 형성된 제2 반도체 층을 포함하며, 제2 반도체 층은 2D GaN 층 상의 AlGaN 및 AlGaN 층 상의 GaN 층을 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157009933
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