| 기업공감원스톱서비스

반도체 장치 및 그 형성 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-0077336
출원일자	2016-06-21
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	반도체 장치 및 그 형성 방법이 제공된다. 반도체 장치는 제1 전송 라인을 둘러싸는 제1 유전체층과, 제1 유전체층을 둘러싸는 자성층을 포함한다. 자성층은 전송 라인의 인덕턱스를 상승시킨다. 제1 전송 라인을 둘러싸는 자성층을 구비한 반도체 장치는, 자성층을 구비하지 않는 반도체 장치와 비교해, 레지스턴스의 상승 없이도 임피던스를 증가시켜 전류가 전송 라인을 통과하는 것을 조장한다. 레지스턴스가 상승하면 전류나 전력의 증가를 필요로 하여, 레지스턴스의 상승없는 반도체 장치에 비해 반도체 장치의 수명이 단축된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160077336
첨부파일

기업조회