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특허/실용신안

박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
출원번호 10-2016-7022350
출원일자 2016-08-16
공개번호 20160825
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명의 실시예들에는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 생산 방법이 개시되어 있는데, 생산 방법은: 기판상에 활성층 박막과 도전층 박막을 형성하는 단계; 박막 트랜지스터(TFT)의 적어도 두 개의 데이터 라인, 화소 전극 및 소스/드레인 전극을 형성하기 위해, 도전층 박막 상에 소스/드레인 전극층 박막을 피착하고, 그레이 톤 또는 하프 톤 마스킹 프로세스를 사용하여 도전층 박막과 소스/드레인 전극층 박막을 처리하는 단계; TFT의 활성층을 형성하기 위해, 활성층 박막, 소스/드레인 전극, 데이터 라인들 및 화소 전극을 덮는 절연층 박막을 피착한 후에, 절연층 상에 TFT의 게이트 절연층 및 관통홀을 형성하는 단계; 및 TFT의 게이트 전극, 및 데이터 라인들과 교차하는 적어도 두 개의 게이트 스캔 라인을 형성하는 단계를 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167022350
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/786,G02F-001/1362,H01L-027/12,H01L-029/417
주제어 (키워드)