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스핀 전자 메모리, 정보 기록 방법 및 정보 재생 방법

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기관명	NDSL
출원인	내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지
출원번호	10-2016-7015846
출원일자	2016-06-14
공개번호	20160721
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 스핀 전자 메모리는, 적어도 한 쌍의 전극(1, 2); SbTe, Sb 2 Te 3 , BiTe, Bi 2 Te 3 , BiSe 및 Bi 2 Se 3 중 어느 것을 주성분으로 하여 형성되고 두께가 2㎚ 이상 10㎚ 이하인 제 1 합금층(5)과, 하기 일반식 (1)로 표시되는 합금을 주성분으로 하여 형성되는 제 2 합금층(4)을 적층시켜 형성되며, 상기 전극간(1, 2)에 배치되는 기록층(6a, 6b, 6c); 및 자성 재료로 형성되고, 상기 자성 재료가 자화된 상기 기록층에 스핀을 주입하는 스핀 주입층(7)을 갖는 것을 특징으로 한다. 단, 상기 식 (1)에서, M은 Ge, Al 및 Si 중 어느 원자를 나타내고, x는 0.5 이상 1 미만의 수치를 나타낸다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015846
첨부파일

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