심리스 코발트 갭-충전을 가능하게 하는 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
출원번호 | 10-2016-7011203 |
출원일자 | 2016-04-27 |
공개번호 | 20160609 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 반도체 디바이스의 피처 정의에 금속 층을 증착하기 위한 방법들이 제공된다.일 구현에서, 반도체 디바이스를 형성하기 위해 금속 층을 증착하기 위한 방법이 제공된다.방법은, 기판 상에 금속 층을 증착하기 위해, 순환 금속 증착 프로세스를 수행하는 단계, 및 기판 상에 배치된 금속 층을 어닐링하는 단계를 포함한다.순환 금속 증착 프로세스는, 기판 상에 금속 층의 부분을 증착하기 위해, 증착 전구체 가스 혼합물에 기판을 노출시키는 것, 플라즈마 처리 프로세스 또는 수소 어닐링 프로세스에 금속 층의 부분을 노출시키는 것, 및 금속 층의 미리 결정된 두께가 달성될 때까지, 증착 전구체 가스 혼합물에 기판을 노출시키는 것, 및 플라즈마 처리 프로세스 또는 수소 어닐링 프로세스에 금속 층의 부분을 노출시키는 것을 반복하는 것을 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167011203 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/768,C23C-016/18,H01L-021/285 |
주제어 (키워드) |