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특허/실용신안

인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배방법 및 재배장치.

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 농업회사법인 홍원(주)
출원번호 10-2014-0040348
출원일자 2014-04-04
공개번호 20151015
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은 아이스플랜트 재배방법 및 재배장치에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 비닐하우스 내에서 인공광원을 사용하여 질석과 코코비트로 된 인공토양에서 정식되는 아이스플랜트를 재배하는 방법 및 재배장치에 대한 것이다. 본 발명에 따른 인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배방법은 코코비트와 질석이 2:1의 질량비율로 혼합된 인공토양의 육묘트래이에 아이스플랜트 종자를 뿌려주어 파종하는 단계와, 종자가 파종된 상기 육묘트래이에 양액을 뿌려주면서 잎이 2 내지 4장 되면 상기 인공토양에 정식하는 단계와, 상기 정식된 아이스플랜트에 인공광원으로 빛을 제공하는 단계와, 정식하여 5~10일 경과 후 물 10L를 기준으로 소금 2~3g이 함유된 소금물을 상기 아이스플랜트 종묘에 뿌려주는 단계와, 상기 아이스플랜트를 파종하여 75~85일 경과 후 수확하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배방법에 있어서, 상기 아이스플랜트를 상기 인공토양에 정식한 후 15~24℃의 온도를 유지하여 상기 아이스플랜트를 키우는 것이 바람직하다. 또한, 인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배방법에 있어서, 토양에 골을 만들고, 상기 골에 비닐을 도포한 후, 상기 비닐 위에 부직포를 도포하여, 상기 골에 상기 인공토양으로 덮은 다음 상기 골을 덮은 인공토양에 상기 아이스플랜트 종자를 정식하는 것이 바람직하다. 또한, 인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배방법에 있어서, 상기 빛을 제공하는 단계는 LED등 또는 PG등 또는 형광등의 인공광원으로 빛을 제공하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배장치는 비닐하우스와, 상기 비닐하우스 내부의 토양에 만들어진 골을 도포하는 비닐과, 상기 비닐이 아이스플랜트의 뿌리에 의해 손상되는 것을 방지하기 위하여 상기 비닐을 도포하는 부직포와, 아이스플랜트 종묘가 정식되도록 상기 부직포가 도포된 골에 채워진 인공토양과, 상기 인공토양의 위로 일정 간격 떨어진 높이에 설치되는 인공광원과, 상기 인공광원을 설치하기 위해 상기 토양에 설치되는 지지프레임을 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한, 인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배장치에 있어서, 상기 인공광원의 빛이 분산되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지프레임과 상기 인공광원 사이에 설치되는 반사필름을 더 구비하며, 상기 인공토양은 코코비트와 질석이 2:1의 질량비율로 혼합되는 것이 바람직하다. 또한, 인공광원을 사용한 비닐하우스 인공토양 아이스플랜트 재배장치에 있어서, 상기 인공광원은 LED등 또는 PG등 또는 형광등 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면 아이스플랜트의 생장에 적합한 인공광원 및 인공토양에서 아이스플랜트를 재배하므로 아이스플랜트의 발아율을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 아이스플랜트의 생장을 높일 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140040348
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE A01G-009/00,A01G-009/14
주제어 (키워드)