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반도체 발광 다이오드 및 반도체 발광 다이오드의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
출원번호	10-2016-7014288
출원일자	2016-05-27
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 제안되는 반도체 발광 다이오드(10)는, 적어도 p형 도핑된 발광 다이오드층(4), n형 도핑된 발광 다이오드층(5) 및 상기 p형 도핑된 발광 다이오드층(4)과 n형 도핑된 발광 다이오드층(2) 사이에 위치한 광학적 활성 영역(3); 투명 전도 산화물을 함유한 산화물층(8); 그리고 적어도 하나의 거울층(9)을 포함하고, 이때 상기 산화물층(8)은 발광 다이오드층들(2, 4)과 적어도 하나의 거울층(9) 사이에 배치되고, 상기 발광 다이오드층들(2, 4)을 향한 제1경계면(8a) 및 상기 적어도 하나의 거울층(9)을 향한 제2경계면(8b)을 포함하고, 이때 상기 산화물층(8)의 제2경계면(8b)은 상기 산화물층(8)의 제1경계면(8a)보다 작은 거칠기(R2)를 가지는 것을 특징으로 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014288
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