미스컷 기판을 이용한 고전력 질화 갈륨 전자 장치
기관명 | NDSL |
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출원인 | 아보기, 인코포레이티드 |
출원번호 | 10-2016-7014318 |
출원일자 | 2016-05-27 |
공개번호 | 20160707 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 전자 디바이스는, 육방정(hexagonal crystal) 구조를 갖고, 방향으로부터의 오배향이 0.15° 내지 0.65°인 성장 표면에 대한 법선을 갖는 III-V 기판을 포함한다.상기 전자 디바이스는 또한, 상기 III-V 기판에 연결된 제1 에피택시 레이어 및 상기 제1 에피택시 레이어에 연결된 제2 에피택시 레이어를 포함한다.상기 전자 디바이스는, 상기 기판과 전기적으로 접촉하는 제1 컨택 및 상기 제2 에피택시 레이어와 전기적으로 접촉하는 제2 컨택을 더 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014318 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/04,H01L-021/02,H01L-029/06,H01L-029/20,H01L-029/66,H01L-029/861 |
주제어 (키워드) |