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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	후지필름 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7014266
출원일자	2016-05-27
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	기판 상에, 적어도 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스 전극, 및 드레인 전극이 형성되고, 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 박막 트랜지스터이다. 활성층은, 아모르퍼스 산화물 반도체에 의해 구성되어 있다. 게이트 절연막 내에 존재하는 제 1 수분량은, 활성층에 존재하는 제 2 수분량보다 적다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014266
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