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특허/실용신안
직류 중첩 동결
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 |
| 출원번호 | 10-2016-7017181 |
| 출원일자 | 2016-06-27 |
| 공개번호 | 20160728 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 시스템 및 방법은 더블 패터닝 기술에의 개선을 포함하여 기판을 패터닝하기 위한 개선된 기술을 포함한다.직류 중첩 플라즈마 프로세싱이 포토리소그래피 패터닝 기술과 결합된다.플라즈마 프로세싱 시스템으로부터의 전자 플럭스 또는 탄도 전자 빔이 주어진 포토레지스트에서의 가교를 유도할 수 있으며, 이는 포토레지스트를 후속 노광 및/또는 현상제 처리에 내성이 되도록 변경한다.플라즈마 프로세싱은 또한 제1 릴리프 패턴의 노출된 표면 상에 산화물의 보호 층을 추가하는데 사용됨으로써, 현상 산으로부터 포토레지스트를 보호한다.현상 산으로부터 초기 포토레지스트 릴리프 패턴을 보호함으로써, 제2 패턴이 제1 포토레지스트 필리프 패턴 상에 그리고/또는 그 사이에 적용될 수 있으며, 그에 의해 초기 패턴을 두 배로 하거나 또는 달리 패턴 밀도를 증가시킨다.그 다음, 이 결합된 패턴은 결합된 패턴을 하나 이상의 하부층에 전사하는 것과 같은 후속 미세가공에 사용될 수 있다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017181 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | G03F-007/20,G03F-007/00,G03F-007/40,H01L-021/027,H01L-021/3065,H05H-001/46 |
| 주제어 (키워드) |