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하전 입자 빔 리소그래피를 이용하여 사선 패턴을 형성하기 위한 방법 및 시스템

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기관명	NDSL
출원인	디2에스, 인코포레이티드
출원번호	10-2014-0029047
출원일자	2014-03-12
공개번호	20140925
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	프랙처링 또는 마스크 데이터 준비를 위한 방법 및 시스템이 개시되는데, 이러한 방법 및 시스템에서, 사선 패턴의 중심 코어 부분은 오버랩핑 가변 성형 빔(VSB) 샷들을 이용하여 프랙처링되고, 사선 패턴의 외부 부분은 비-오버랩핑 VSB 샷들을 이용하여 프랙처링된다.전이 영역이 중심 코어 부분과 외부 패턴 부분 사이에 삽입되며, 그리고 전이 영역 샷들은, 패턴의 중심 코어 부분으로부터 패턴의 외부 부분까지, 라인 에지 러프니스 또는 표면파형(waviness)의 주기와 같은 패턴 특징들에서의 평활한(smooth) 전이를 전사된 패턴(transferred pattern)에 생성하도록 발생된다.또한, 레티클 또는 기판 상에 반도체 디바이스 레이아웃 패턴을 형성하기 위한 방법들이 개시된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140029047
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