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셀 스트링 및 이를 이용한 어레이

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기관명	NDSL
출원인	서울대학교산학협력단
출원번호	10-2014-0011565
출원일자	2014-01-29
공개번호	20150507
공개일자	2015-05-06
등록번호	10-1517915-0000
등록일자	2015-04-29
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 신경 모방 기술을 구현할 수 있는 셀 스트링에 관한 것이다. 상기 셀 스트링은, 트렌치에 의해 분리된 쌍둥이 핀으로 형성된 담장형 반도체; 측벽에 절연물질이 도포된 트렌치의 내부에 형성된 바디 전극; 상기 담장형 반도체의 표면에 스택 구조로 형성된 게이트 절연막 스택; 및 상기 게이트 절연막 스택의 상부에 형성된 다수 개의 제어 전극;을 구비한다. 각 셀 소자는 바이어스 조건에 따라 터널링 트랜지스터 또는 게이티드 다이오드로 동작하여 게이트 절연막 스택의 전하저장층에 저장된 전하를 감지하여 비트라인으로 제공함에 따라 시냅스의 흥분 전달 기능을 모방하거나, MOS 트랜지스터 또는 비휘발성 트랜지스터로 동작하여 시냅스의 억제 기능을 모방함으로써, 시냅스의 다양한 기능들을 모델링할 수 있게 된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020140011565
첨부파일

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