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제2 아미노기를 갖는 노볼락폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물

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기관명	NDSL
출원인	닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
출원번호	10-2016-7015213
출원일자	2016-06-08
공개번호	20160901
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	[과제] 양호한 하드마스크 기능을 갖고, 양호한 패턴형상을 형성할 수 있는 레지스트 하층막을 제공한다. [해결수단] 제2 아미노기를 갖는 방향족 화합물과 알데히드 화합물의 반응에 의해 얻어지는 노볼락폴리머를 포함하는, 리소그래피 공정에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 노볼락폴리머가 식(1): 로 표시되는 단위구조를 포함하는 것이다.반도체기판에 본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트패턴을 형성하는 공정, 형성된 레지스트패턴에 의해 하드마스크를 에칭하는 공정, 패턴화된 하드마스크에 의해 이 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015213
첨부파일

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