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특허/실용신안

광전자 소자 및 광전자 소자를 제조하기 위한 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
출원번호 10-2015-7010774
출원일자 2015-04-24
공개번호 20150604
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은 광전자 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 - 기판을 준비하는 단계; - 상기 기판의 표면상에 핵생성층을 제공하는 단계; - 상기 핵생성층 상에 마스크층을 제공하고 구조화하는 단계; - 제 1 성장 단계에서 질화물 반도체를 성장시키는 단계, 이 경우 측방향 격자를 형성하는 웨브들이 설치되고, 이러한 웨브들은 성장 방향으로 섹션별로 사다리꼴 단면적들을 가지며; 그리고 - 상기 웨브들 사이 자유 공간들을 폐쇄하기 위하여, 제 2 성장 단계에서 질화물 반도체로 상기 웨브들을 측방향으로 과성장시키는 단계를 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157010774
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-033/00,H01L-021/02,H01L-033/02
주제어 (키워드)