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반도체 프로브에 의한 양자 전지의 시험 장치 및 시험 방법

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기관명	NDSL
출원인	,
출원번호	10-2014-7014419
출원일자	2014-05-28
공개번호	20140822
공개일자	2016-07-29
등록번호	10-1643981-0000
등록일자	2016-07-25
권리구분	KPTN
초록	양자 전지의 제작 프로세스 도중에서의 충전층의 전기적 특성 평가를 행할 수 있는 반도체 프로브에 의한 양자 전지의 시험 장치 및 시험 방법을 제공한다.도전성의 전극(54)과 금속 산화물 반도체로 이루어지는 금속 산화물 반도체층(56)을 지지체(52)에 적층하여 구성된 반도체 프로브(50); 반도체 프로브(50)에 구비되어 있는 전극(54)과 2차 전지용 충전층(18)을 적층한 베이스 전극(14)과의 사이에 전압을 인가하는 전압원(62); 및 반도체 프로브(50)에 구비되어 있는 전극(54)과 충전층(18)이 적층되어 있는 베이스 전극(14) 간에 흐르는 전류를 측정하는 전류계(64)를 포함하고, 충전층(18)의 전류-전압 특성을 측정한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020147014419
첨부파일

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