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차동 펌핑된 반응 가스 주입기

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기관명	NDSL
출원인	램 리써치 코포레이션
출원번호	10-2015-0113464
출원일자	2015-08-11
공개번호	20160226
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	표면으로부터 재료를 제거하기 위해 사용될 수도 있는 일 프로세스는 이온 에칭이다.특정한 경우들에서, 이온 에칭은 이온들 및 반응 가스 양자의 기판으로의 전달을 수반한다.개시된 실시예들은 국부적으로 고압 전달 영역 외부인 기판의 부분들에 대해 훨씬 보다 저압을 유지하는 동안 기판으로의 반응 가스의 국부적으로 고압 전달을 허용한다.저압은 고압 반응물질 전달을 작은 영역으로 한정하고, 과도한 반응물질들 및 부산물들이 이 작은 영역을 떠날 때 그리고 과도한 반응물질들 및 부산물들이 보다 큰 기판 프로세싱 구역으로 들어가기 전에 과도한 반응물질들 및 부산물들이 진공배출 (vacuuming away) 함으로써 달성된다.개시된 기법들은 기판 프로세싱 구역 내에 존재하는 이온들과 다른 종들 간의 유해한 충돌을 최소화하는 동안 쓰루풋을 증가시키기 위해 사용될 수도 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150113464
첨부파일

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